轴向IGBT吸收电容缓冲电容高频大电流保护snubber电容474J1200V

吸收电容采用双面金属化膜，耐大电流冲击，广泛用于逆变器/变频器/电磁感应加热等高压高频电路，常用规格库存充足，交货期短。


                                              IGBT缓冲吸收电容器（MKPH）
                IGBT snubber capacitor 
主要特点:                                        Features1采用加厚金属电极                                                Thickende metalized electrode                                   2损耗小,内部温升小                                               Low lossand small inherent temperature rise3耐大电流冲击                                                                                        Large current shock resistance主要用途:                                        Typical Applications1高压高频脉冲电路                                                used in high voltage,high frequency and pulse circuit2吸收和SCR整流电路                                               Snubber and SCR circuits                                         3功率开关器件峰值脉冲保护                                        Power on-off appliances for protecion 技术要求 Specifications

引用标准Reference standardGB/T 17702(IEC 61071)气候类别Climatic Category40/85/56工作温度范围(外壳温度点)Operating temperature rang(Mxa temperature of case surface)-40℃~85℃额定电压Rated Voltage630~3000Vdc电容量范围Capacitance Range0.1μF~10μF电容量偏差Capacitance ToleranceJ(±5%), K(±10%),耐电压Voltege proof1.60UR(5s)损耗角正切Dissipation Factor≤0.0010 (1kHz,   20℃)绝缘电阻Insulation Resistance≥50 000MΩ, CR≤0.33μF≥15 000s CR＞0.33μF(20℃, 100V,1min)预期寿命Expected   lifetime≥100000h   V=Ur     T=70℃